特許
J-GLOBAL ID：200903002698847270
レジストパターンの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 淳美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049596
公開番号（公開出願番号）：特開平9-218500
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 高精度、高品質に、且つ、作業効率が良く、微細なレジストパターンを作製できるレジストパターンの作製方法を提供しようとするものである。【解決手段】 少なくとも、(A)基板上に、露光する電離放射線に対して、感光するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、(B)該レジスト膜を選択的に電離放射線にて露光して潜像を形成する露光工程と、(C)露光されたレジスト膜を現像する現像工程と、(D)現像後のレジスト膜厚を測定するレジスト膜厚測定工程と有するもので、現像工程を複数回に分け行い、各現像工程の間に膜厚測定工程を設けたものであり、はじめに形成された所定のレジスト膜厚またはレジスト膜厚測定工程により得られたレジスト膜厚から、第1回目ないし最終回前の現像工程では、現像が完了しないと予め分かっている所定の現像時間にて現像を行い、且つ、最終回目の現像工程において現像完了となるまで現像する。
請求項（抜粋）：
基板上に、現像液にて膜減りし、かつ現像の度合いにより残膜が漸次減少する傾向があるレジスト膜を形成し、該レジスト膜を所定の露光条件にて選択的に露光し、現像処理にて、最終的に所望の幅寸法のレジストパターンを得て、現像完了とするレジストパターンの作製方法であって、少なくとも、(A)基板上に、露光する電離放射線に対して、感光するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、(B)該レジスト膜を選択的に電離放射線にて露光して潜像を形成する露光工程と、(C)露光されたレジスト膜を現像する現像工程と、(D)現像後のレジスト膜厚を測定するレジスト膜厚測定工程と有するもので、現像工程を複数回に分け行い、各現像工程の間に膜厚測定工程を設けたものであり、はじめに形成された所定のレジスト膜厚またはレジスト膜厚測定工程により得られたレジスト膜厚から、第1回目ないし最終回前の現像工程では、現像が完了しないと予め分かっている所定の現像時間にて現像を行い、且つ、最終回目の現像工程において現像完了となるまで現像することを特徴とするレジストパターンの作製方法。
IPC (2件)：
FI (5件)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 B
, G03F 1/08 L
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 569 F
