特許

J-GLOBAL ID：200903002699065763

層間絶縁膜の平坦化方法

発明者： 小松 裕司 ,  中村 元昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052599
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223740
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 2層ストッパによるCMP法を用いた層間絶縁膜の平坦化プロセスにおける急峻な段差をなくし、配線形成の信頼性を十分に確保することができる層間絶縁膜の平坦化方法を提供する。【解決手段】 SOI層15-1,15-2上に形成されたゲート電極13-1〜13-3の段差パターンを覆うようにして研磨速度の遅いNSG膜21を形成した後、この上に、研磨速度の速いBPSG膜22を形成し、さらにその上に研磨速度の遅いNSG膜23を形成する。このとき密集パターン領域12におけるNSG膜21の最高位面がNSG膜23の最低位面とほぼ同一の高さになるようにNSG膜21,BPSG膜22およびNSG膜23の膜厚を設定する。次に、CMP研磨により全体を平坦化する。これによりCMP工程後において密集パターン領域12に急峻な段差が残存することがなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された段差を有するパターンを覆うようにして相対的に研磨速度の遅い第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に相対的に研磨速度の速い第2の絶縁膜を形成する工程と、第2の絶縁膜上に相対的に研磨速度の遅い第3の絶縁膜を形成する工程と、第3の絶縁膜を形成した後における半導体基板表面の段差を化学的機械研磨により平坦化する工程とを含み、前記半導体基板の密集パターン領域における第1の絶縁膜の最高位面が第3の絶縁膜の最低位面と実質的に同一の高さになるように第1ないし第3の絶縁膜の膜厚を設定することを特徴とする層間絶縁膜の平坦化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/95