特許

J-GLOBAL ID：200903002703134520

半導体装置の製造方法

発明者： 保田 広安 ,  河村 光一郎
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201387
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021594
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 高品質の半導体装置を高い歩留りで製造する。【構成】 フィールド酸化膜であるSiO2 膜12を覆った多結晶Si膜13をSiO2 膜12の表面が露出するまで平坦化し、多結晶Si膜13の表面に多結晶Si膜15を選択的に成長させる。そして、多結晶Si膜13、15をマスクにして、SiO2 膜12を介して、チャネルストッパ形成用の不純物であるB+ イオン16をイオン注入する。このため、チャネルストッパが素子領域から自己整合的にオフセットした状態で形成される

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を選択的に酸化して素子分離用の酸化膜を形成し、前記酸化膜を覆う様に前記半導体基板上に第1の膜を堆積させ、前記酸化膜の表面が露出するまで前記第1の膜を平坦化し、前記第1の膜の表面に第2の膜を選択的に成長させ、前記第1及び第2の膜をマスクにして、前記酸化膜を介して、前記半導体基板にチャネルストッパ形成用の不純物を導入し、前記第1及び第2の膜を除去する半導体装置の製造方法。