特許
J-GLOBAL ID：200903002705534363
反応装置の自己洗浄方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254079
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097154
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】反応装置チャンバの自己洗浄方法を開示する。【構成】過フッ化炭化水素を含むガス、そして好適にはC2F6を酸素と合せて用いるこの2段階からなる方法は、まず比較的低い圧力で且つ高周波電極であるところのガス注入マニホルドとウェーハサポートとの離間を比較的大きくして行うチャンバ全域エッチングと、次に高周波電極の洗浄を完了するために比較的高いチャンバ圧力および小さな電極間隔を用いる局部的エッチング段階とを含む。
請求項（抜粋）：
その間隔が可変のガス注入マニホルドとウェーハ支持電極とで形成される電極を有する真空処理反応装置を自己洗浄する方法において、チャンバのほぼ全域に渡ってエッチングプラズマを発生させるために選択した電力を電極間に印加し、第1の比較的低い圧力および第1の比較的大きな電極間隔で過フッ化炭化水素を含むガスをチャンバ内に供給する第1の広域エッチング段階と、電極間に局部的エッチング用プラズマを発生させるために、電極間に選択した電力を印加し第2の比較的高い圧力および第2の比較的小さな電極間隔で、前記過フッ化炭化水素を含むガスをチャンバ内に供給する第2の局部エッチング段階とを含むことを特徴とする真空処理反応装置を自己洗浄する方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
