特許

J-GLOBAL ID：200903002707267699

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 鈴木 篤 ,  徳永 和彦 ,  鈴木 利彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160103
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330302
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】E’中心が少なく、絶縁破壊耐圧が高く、信頼性に優れたシリコン酸化膜を形成するためのシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体基板10上にシリコン酸化膜11を形成した後、イオン注入法によりイオンを該シリコン酸化膜11に注入し、その後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸化膜11を熱処理する。イオン注入におけるイオン種は、珪素、酸素、窒素、ヒ素、リン、ホウ素及びハロゲン元素から成る群から選ばれた少なくとも1種の元素、あるいはかかる元素から構成された化合物の形態であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した後、イオン注入法によりイオンを該シリコン酸化膜に注入し、その後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸化膜を熱処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 29/78 301 P