特許
J-GLOBAL ID：200903002708178754
硬質カーボン膜の形成方法および形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-200377
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：
【要約】【目的】膜中にパ-ティクルなどが混入することによって生ずる膜品質低下を防止し、かつ、生産性に優れた硬質カ-ボン膜の形成方法および形成装置を提供すること。【構成】初期プラズマ発生手段と、硬質カ-ボン膜を形成するための基材周辺でのプラズマ形成手段とを備えたプラズマCVD装置を用い、初期プラズマを発生させたのち、カソ-ド電極を介して基材に負の直流電圧を印加して近傍に高密度のプラズマを形成するようにした。【効果】基材周辺で生成された炭化水素系ガスイオンは、基材に印加されたマイナスのDC電圧により速やかに基材に衝突・反応して硬質カ-ボン膜を形成するため、パ-ティクル混入などの膜品質低下の無い硬質カ-ボン膜が、生産性に優れたかたちで得られる。
請求項（抜粋）：
基材に直流電圧を印加するためのカソ-ド電極と、このカソ-ド電極とは独立して駆動できるように構成されているトリガ-電極とが真空槽中に配置されているプラズマCVD装置を用い、真空槽に炭化水素系ガスを導入したのちトリガ-電極に電圧を印加して真空槽中に初期プラズマを発生させ、次いでカソ-ド電極にマイナスの直流バイアス電圧を印加して基材周辺に前記初期プラズマよりも密度の高いプラズマを形成し、このプラズマ中で炭化水素系ガスの分解を促進して基材の表面に硬質カ-ボン膜を形成することを特徴とする硬質カ-ボン膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/26
, B01J 19/08
, C01B 31/02 101
