半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237631
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084040
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】選択的タングステン気相成長法によりスルーホールを埋め込む場合、下部配線層と埋め込んだタングステン層との接触抵抗を実用上充分に低くすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101上にアルミニウム合金膜102aと窒化チタン膜102bからなる下部配線層102を形成する。次に、半導体基板101および下部配線層102上に絶縁膜103を堆積し、下部配線層102上の所定の位置にスルーホール104を形成する。次に、選択的タングステン気相成長法により、スルーホール104内にタングステン膜105を埋め込む。最後に、上部配線層106を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上にアルミニウム合金を用いて形成された下部配線層と、この下部配線層上に位置するスルーホールを有して前記下部配線層上に形成された絶縁膜と、前記下部配線層のスルーホール露出部に形成された窒化チタン膜またはこの窒化チタン膜を最表面とする積層膜と、前記スルーホールに埋め込まれた六フッ化タングステンを用いたタングステン膜と、このタングステン膜上に形成された上部配線層とを備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 301

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/285 301 R

前のページに戻る