特許

J-GLOBAL ID：200903002718372680

キャパシタの製造方法

発明者： 鳥居 和功 ,  三木 浩史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047735
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260612
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体を用いた大規模集積回路に好適な小面積かつ、大容量のキャパシタ、または、分極反転型不揮発性メモリに好適な強誘電体キャパシタに必要な強誘電体薄膜を形成する方法を提供する。【構成】 チタン酸ジルコン酸鉛系固溶体の非晶質薄膜をスパッタ法により形成し、成膜後の熱処理に急速熱処理法を用いる。【効果】 成膜後の熱処理に急速熱処理法を用いることにより、熱処理時間を大幅に短縮し、鉛の再蒸発、および、電極材料の拡散を抑制することができるため、300nm以下の薄膜においてもバルクセラミックスと同等の比誘電率、残留分極が得られる。

請求項（抜粋）：

第一の電極上に、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする固溶体薄膜を形成した後、酸素を含む雰囲気中で急速熱処理法により結晶化させた後、該固溶体薄膜上に第二の電極を形成したことを特長とするキャパシタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 325 M