特許
J-GLOBAL ID：200903002719028851
ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129399
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338515
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタのベースコレクタ容量を小さくする。【構成】 ベース電極下のコレクタ層をエッチングして空隙を設ける。【効果】 ベース電極下の比誘電率が大幅に小さくなるので、ベースコレクタ容量が低下し、ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタの高域特性が改善され、超高速動作が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に低抵抗層(11)を介して形成されたコレクタ層(12)と、このコレクタ層上に形成されたベース層(14)と、このベース層の上記コレクタ層と対向する面の一部の領域に上記ベース層とはバンドギャップの異なる材料で形成されたエミッタ層(16)と、上記コレクタ層に上記低抵抗層を介して接続されたコレクタ電極(13)と、上記ベース層の上記エミッタ層が形成された面に上記エミッタ層とは絶縁されて形成されたベース電極(15)と、上記エミッタ層に接続されたエミッタ電極(17)とを備えたヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタにおいて、上記コレクタ層(12)には上記ベース電極(14)と上記低抵抗層(11)とに挟まれた領域の少なくとも一部に空隙が設けられたことを特徴とするヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
