特許

J-GLOBAL ID：200903002727557251

電子放出素子や画像形成装置等の製造方法

発明者： 小林 登代子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-121389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317157
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 導電性薄膜の膜厚を均一化し、該薄膜の製造工程を簡略化し、大面積基板に低コストかつ容易に素子を形成することができ、それによって得られる電子放出素子の電子放出特性が均一な製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上の対向する電極間に、導電性薄膜形成用材料を含む溶液の液滴を付与して導電性薄膜を形成し、該導電性薄膜に電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法であって、前記基板上の対向する電極間にあらかじめ多孔質層を形成しておき、前記液滴を付与することを特徴とする。また前記多孔質層は、多孔質シリカ層であり、原材料として有機・無機複合体を用い、これを加熱焼成させて有機部分を消失させた時に得られる無機多孔質体を用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上の対向する電極間に、導電性薄膜形成用材料を含む溶液の液滴を付与して導電性薄膜を形成し、該導電性薄膜に電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法であって、前記基板上の対向する電極間にあらかじめ多孔質層を形成しておき、前記液滴を付与することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30 ,  H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 9/02 E ,  H01J 1/30 E ,  H01J 31/12 C