特許

J-GLOBAL ID：200903002732438171

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 佐藤 崇之 ,  李 雲龍
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082343
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277294
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 使用ガスの種類や圧力などの処理条件が異なる場合にも、その条件に適したプラズマ密度分布を得られるようにする。【解決手段】 基板処理のための反応室を構成するチャンバ(チャンバ本体1及びチャンバ蓋5)と、反応室内を排気する排気機構と、反応室内に処理ガスを導入するガス導入機構と、反応室内の空間を囲うように配された放電用の円筒電極3と、円筒電極に高周波電力を印加する高周波電源と、円筒電極3の周囲に該円筒電極3の円筒軸方向に間隔をおいて配され且つ内周が異極とされることで円筒電極3の内面に沿って円筒軸方向に磁力線を発する2つのリング磁石(磁石ホルダ11a、11b及び磁石11a、11b)とを備えたプラズマ処理装置において、前記2つのリング磁石の間隔を調整する磁石移動機構30を設けた。

請求項（抜粋）：

基板処理のための反応室を構成するチャンバと、反応室内を排気する排気機構と、反応室内に処理ガスを導入するガス導入機構と、反応室内の空間を囲うように配された放電用の円筒電極と、該円筒電極に高周波電力を印加する手段と、前記円筒電極の周囲に該円筒電極の円筒軸方向に間隔をおいて配され且つ内周が異極とされることで円筒電極の内面に沿って円筒軸方向に磁力線を発する2つのリング磁石とを備えたプラズマ処理装置において、前記2つのリング磁石の間隔を調整する磁石移動機構を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H05H 1/46 A ,  C23C 14/35 B ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 B ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (25件)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029DC28 ,  4K029DC35 ,  4K029DC46 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA16 ,  4K030KA34 ,  4K057DA11 ,  4K057DD01 ,  4K057DM06 ,  4K057DM21 ,  5F004AA01 ,  5F004BA13 ,  5F004BB08 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH16