特許
J-GLOBAL ID：200903002732477894
電子線装置及び該電子線装置を用いたデバイス製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-316608
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123679
出願日： 2001年10月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 電子光学系、特に、マルチビームでの電子光学系の電極間の絶縁破壊を防止した電子線装置と、この電子線装置を用いたデバイス製造方法を得る。【解決手段】 一次又は二次光学系内のレンズ電極の少なくとも一極を仕事関数が4.5eV以上の金属でコーティングしている。一次又は二次光学系内のレンズ電極をコーティングする金属を、白金、イリジウム、ルテニウム、レニウム、オスミウム、又は、白金を主材料とする合金にしている。
請求項（抜粋）：
静電レンズを含む一次光学系によって複数の荷電粒子ビームを試料に入射させ、上記複数の荷電粒子ビームの入射により上記試料から発生した複数の二次電子ビームを、対物レンズに通過させた後に分離手段によって二次光学系に投入し、投入後少なくとも一段のレンズでビーム間隔を拡大して複数の検出器に導き、上記複数の検出器で上記複数の二次電子ビームを検出してデータを形成し、上記データに基づいて上記試料を評価する電子線装置において、上記一次又は二次光学系内のレンズ電極の少なくとも一極を仕事関数が4.5eV以上の金属でコーティングしたことを特徴とする電子線装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 37/12
, H01L 21/66 J
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA20
, 4M106CA38
, 4M106CA70
, 4M106DB05
, 4M106DH33
, 5C033CC01
