特許
J-GLOBAL ID：200903002733150171
X線ミラー作成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107427
公開番号（公開出願番号）：特開平5-302999
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】シンクロトロン装置からのX線を含む放射光の反射、分光等に使用するX線ミラーは、使用しているうちに反射膜が汚れて反射率が低下する。劣化した反射膜を、ミラー基板の平滑性を維持したまま、ミラー基板から除去し、新たに反射膜を形成し直すことで、安価にしかも短期にミラーとして再生できるX線ミラー作成法を提供する。【構成】(イ)放射光に曝して使用したことで性能が低下したX線反射膜(6)を化学薬品によるウェットエッチングにより、ミラー基板(4)から基板面の平滑度を維持したまま除去する工程と、(ロ)引き続き乾燥処理し基板(4)面上に重金属からなるX線反射膜(8)を粒子エネルギー300eV以下の膜形成法により、基板(4)面の平滑度を維持したまま形成する工程とを含むX線ミラー作成法とする。
請求項（抜粋）：
シンクロトロン装置で発生するX線を含む放射光の反射、分光、集光等に使用し、基板表面に形成する反射膜が重金属からなるX線ミラーの作成法において、(イ)所定の形状に加工され、かつ、所定の平滑度に平坦化された基板面に前記反射膜が形成されたX線ミラーをシンクロトロン放射光に曝して使用したことで反射膜の性能が低下した際に、この反射膜を化学薬品によるウェットエッチングにより、基板面の平滑度を維持したまま、除去する工程と、(ロ)引き続き乾燥処理し、基板面上に重金属からなる反射膜を、粒子エネルギーが300eV以下の膜形成法により、基板面の平滑度を維持したまま、形成する工程と、を含むことを特徴とするX線ミラー作成法。
IPC (2件)：
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