特許

J-GLOBAL ID：200903002733310829

GaN単結晶基板及びその製造方法

発明者： 元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  松本 直樹
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-183446
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022212
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【目的】 面積が広く反りが少なく自立できるGaN単結晶基板を提供すること。【構成】 GaAs(111)基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、HVPE法またはMOC法により低温でGaNバッファ層を形成し、HVPE法により高温でGaNエピタキシャル層を厚く形成し、GaAs基板を除去する。GaNの自立膜を種結晶としてHVPE法でGaNを厚付けしGaNインゴットを作る。これをスライサーによって切断し研磨して透明無色の反りの少ないGaNウエハを作る。

請求項（抜粋）：

20mm以上の直径と0.07mm以上の厚さを有し、自立しており、表面、裏面ともに研磨されている事を特徴とするGaN単結晶基板。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20

Fターム (23件)：

4G051BF02 ,  4G051HA09 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077EF03 ,  4G077FG05 ,  4G077FG18 ,  5F041CA23 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F052AA18 ,  5F052CA01 ,  5F052CA04 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052FA12 ,  5F052GB09 ,  5F052GC04 ,  5F052JA07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および窒化物系III-V族化合物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325260   出願人：ソニー株式会社
• 発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122378   出願人：住友電気工業株式会社
• 研磨工具と、それを用いた研磨方法および研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-272324   出願人：株式会社日立製作所