特許
J-GLOBAL ID：200903002734710278
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-054768
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252297
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 パワーMOSFETにおけるドリフト領域の構造を安定して製造することができる方法を提供する。【解決手段】 柱状のp型領域15と柱状のn型領域16とが交互に配置された柱状領域群と、該柱状領域群の外側に隣接して形成されたn-型分離領域17とをドリフト領域に有するパワーMOSFETを製造する方法において、熱処理によりn型となる濃度のp型ドーパントをn-型分離領域17に添加した後に、熱処理を施す。
請求項（抜粋）：
高濃度ドープの第1導電型シリコン単結晶基板上に形成された低濃度ドープの第1導電型シリコン単結晶薄膜中に、第1導電型柱状領域と第2導電型柱状領域が交互に配置された柱状領域群と、該柱状領域群の外側に隣接して形成された第1導電型分離領域とを有する半導体装置の製造方法において、熱処理により第1導電型となる濃度の第2導電型ドーパントを前記第1導電型分離領域に添加した後に、熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 658 E
