特許

J-GLOBAL ID：200903002735619711

液晶表示装置

発明者： 中園 卓志 ,  吉橋 英生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303555
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148685
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 2度のイオン打ち込みを行わずにLDD構造を形成することができ、またドレインリーク電流値を下げることができる。【構成】 絶縁基板と、該基板上に形成されたスイッチング用の多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む画素部と、この画素部に隣接して形成され、画素部を駆動する多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む駆動回路部とを有する薄膜トランジスターアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置において、多結晶シリコン薄膜トランジスターが、上層および下層の2層構造からなるゲート電極を有し、下層のゲート電極の面積が前記上層のゲート電極の面積より広く、かつ上層のゲート電極の面積より広い下層部分の下層のみよりなるゲート電極の直下領域における多結晶シリコン層の電荷濃度が、チャネル領域と、ソース、ドレイン領域の中間濃度である。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該基板上に形成されたスイッチング用の多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む画素部と、前記画素部に隣接して形成され、前記画素部を駆動する多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む駆動回路部とを有する薄膜トランジスターアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置において、前記多結晶シリコン薄膜トランジスターが、ゲート電極として上層および下層の二層構造からなるゲート電極を有し、前記下層のゲート電極の面積が前記上層のゲート電極の面積より広く、かつ前記上層のゲート電極の面積より広い下層部分の下層のみよりなるゲート電極の直下領域における多結晶シリコン層の電荷濃度が、チャネル領域と、ソース、ドレイン領域の中間濃度であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 G