特許
J-GLOBAL ID：200903002737696322
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173785
公開番号（公開出願番号）：特開平10-021698
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 誤って特殊モードに入り誤動作しないような半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 SRAM100において、ブロックアドレス信号入力端子58のうちのいずれか2つ以上の端子580〜58iに電源電圧よりも大きい電圧を有する高電圧信号HV0〜HViが同時に与えられ、高電圧検出回路590でこれらすべての高電圧信号が検出されると、Lレベルのテストモード信号/TMが出力される。このLレベルのテストモード信号/TMとブロックセレクタ8からの出力信号とにより、メモリブロックBK0〜BKnが選択され、テストが行なわれる。
請求項（抜粋）：
通常モードと特殊モードとを有し、所定の電源電圧を受けて動作する半導体記憶装置であって、複数の端子と、前記複数の端子からの信号を受け、または前記複数の端子に信号を与えるメモリセルアレイと、前記電源電圧よりも大きい電圧が前記複数の端子のうちの少なくとも2つの端子に同時に印加されると、前記通常モードを前記特殊モードに切換えるモード切換手段と、を備えた半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 303
, G11C 11/413
G11C 29/00 303 B
, G11C 11/34 341 D
