特許

J-GLOBAL ID：200903002744133023

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 藤原 秀二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231763
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082948
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】結晶性が良好なチャネル領域を有する素子特性の優れたSiGeチャネルMOSFETを得る。【解決手段】単結晶Si基板1上に溝2を形成する。次に、イオン注入法によって、Geイオンを単結晶Si基板1に注入する。このとき、Geイオンは単結晶Si基板1の全面に照射すればよい。続いて、イオン注入領域に生じた結晶欠陥をアニールによって回復させることで、SiGe結晶層3を形成する。その後、通常のMOSFETの製造方法に準じて、ソース・ドレイン領域4、ゲート絶縁膜5、ゲート電極6を順次形成することで、SiGeチャネルMOSFET7が完成する。

請求項（抜粋）：

ゲルマニウムシリコン結晶層をチャネル領域とするトランジスタと、そのチャネル領域を囲む溝とを備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/72