特許

J-GLOBAL ID：200903002745680044

絶縁膜の形成方法

発明者： 黒澤 宏 ,  横谷 篤至 ,  宮野 淳一 ,  本山 理一 ,  歳川 清彦
出願人/特許権者： 佐々木 亘 ,  黒澤 宏 ,  横谷 篤至 ,  宮崎沖電気株式会社 ,  清本鐵工株式会社 ,  宮崎ダイシンキャノン株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087478
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274155
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 真空紫外光CVDにより形成される酸化膜に、平坦かつ良好な埋め込み特性を付与する。【解決手段】 真空紫外光CVDにより、基板上に酸化膜を形成するに際し、有機系材料ガスと一酸化二窒素及び/または酸素ガスからなる添加ガスを共存させる。有機系材料ガスとしては、TEOS等を用いる。本発明では、気相中に発生した活性酸素またはオゾン量を適宜増減させることにより、ステツプカバレツジをコントロールできる。その結果、所望の平坦性・埋め込み特性のSiO2 膜が得られる。本発明の方法は、高密度、多層化が要求されるULSI等の半導体素子の層間絶縁膜や保護膜の形成に好適である。

請求項（抜粋）：

エキシマ光により被処理物上に有機系材料ガス由来の絶縁膜を形成するに際し、有機系材料ガスと酸素を含むガスの共存下でエキシマ光を照射し、ボイドの少ない平坦な特性を有する酸化膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/90 K

Fターム (22件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA08 ,  5F033HH19 ,  5F033RR04 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS14 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光気相反応方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262785   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所