特許
J-GLOBAL ID：200903002746646150
半導体パッケ-ジ用リ-ドフレ-ム及びリ-ドフレ-ムメッキ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052362
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307711
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体パッケージ用リードフレーム及びリードフレームメッキ方法を提供する。【解決手段】 金属基板の上面に中間層を形成し、前記金属基板をメッキ液に浸漬、または液の噴射によってメッキし、前記メッキ液と金属基板に変調された電流を供給することによって前記中間層の上面に0.01乃至1.5マイクロインチ(0.0254×10-8乃至3.81×10-8m)の厚みの保護層を形成する。リードフレームのメッキ時周期的に極性が反転するパルス電流を与えることによって保護層の厚さを0.01乃至1.5マイクロインチ(0.0254×10-8乃至3.81×10-8m)と比較的薄く形成し、かつ表面の粗度も低くすることができ、これによりハンダ付け性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
金属基板と、前記金属基板の少なくとも一方の側の面に形成された中間層と、前記中間層の上面に、パラジウム、パラジウム合金、金、金合金、銀、銀合金のなかの少なくとも1つを、変調された電流を供給することによってメッキした、0.01乃至1.5マイクロインチ(0.0254×10-8乃至3.81×10-8m)の厚さの保護層を含んでなることを特徴とするリードフレーム。
引用特許：
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