特許
J-GLOBAL ID：200903002747072696
半導体集積回路及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141593
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333925
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】〔目的〕 二酸化硅素を主成分とする酸化膜に対する密着性を高めることにより銅や銅合金の配線層を使用可能にした高信頼かつ高集積密度の半導体集積回路及びその製造方法を提供する。〔構成〕 本半導体の集積回路によれば、二酸化硅素を主成分とする酸化膜(2)上に酸化銅の中間層(3) を介在させながら銅又は銅合金の配線層(4) が形成される。本発明の製造方法によれば、上記酸化銅の中間層(3) は反応性スパッタリングで形成され、この中間層(3) の上にスパッタリング又は反応性スパッタリングによって銅又は銅合金の配線層(4) が形成される。
請求項（抜粋）：
二酸化硅素を主成分とする酸化膜上に酸化銅の中間層を介在させながら銅又は銅合金の配線層が形成されたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/203
