特許

J-GLOBAL ID：200903002752278650

受光IC

発明者： 和田 義幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051172
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259498
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】現状、フォトダイオード内蔵受光ICにおいて、後段アンプの帰還抵抗は、フォトダイオードと別の場所に配置しなければならず受光ICのチップサイズが非常に大きくなっていた。そこで、今回、帰還抵抗と遮光性のポリシリコン層で作製し、フォトダイオードの上に形成しチップサイズを縮小する。【構成】PN接合フォトダイオードのアノードの上に酸化膜を介しその上に、透光性であるポリシリコンで成る抵抗を形成する。

請求項（抜粋）：

PN接合からなるフォトダイオードとその周辺回路を1チップ化した受光ICにおいて、周辺回路のアンプ部の帰還抵抗を前記フォトダイオードの受光面上に酸化膜を介して形成したことを特徴とする受光IC。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 G ,  H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-015735
  
• 特開平3-083111
  
• 特開昭60-158840