特許

J-GLOBAL ID：200903002761302653

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者： 堀切 智成 ,  福田 直人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-342065
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153141
出願日： 2006年12月20日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】絶縁層や画素分離膜から有機EL層へ侵入する水分量を低減する。【解決手段】基板上のTFTを覆う絶縁膜と平坦化膜からなる絶縁層や、電極、画素分離膜等を含むインターフェースを形成する工程において、露点温度を-60°C以下に管理した環境下で脱水処理を行う。さらに、脱水処理以後の、有機EL層を形成するまでの全工程を、露点温度を-60°C以下に管理された環境下で行う。脱水後のインターフェースの水分吸収を防ぎ、有機EL層の含水による性能劣化を回避する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

有機エレクトロルミネッセンス素子の素子基板上に絶縁層を形成する工程と、 絶縁層上に電極を形成する工程と、 絶縁層または電極の脱水処理を行う工程と、 電極の周囲に画素分離膜を形成する工程と、 電極上に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、を有し、 前記脱水処理および前記脱水処理以後の全工程を、露点温度を-60°C以下に管理した環境下で行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (6件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  G09F 9/00

FI (6件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  G09F9/30 365Z ,  G09F9/30 349Z ,  G09F9/00 338

Fターム (19件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC23 ,  3K107DD89 ,  3K107DD90 ,  3K107FF17 ,  3K107GG28 ,  5C094AA32 ,  5C094AA37 ,  5C094AA38 ,  5C094BA27 ,  5C094DA07 ,  5C094DA15 ,  5C094GB10 ,  5G435AA13 ,  5G435AA14 ,  5G435BB05 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特登録3531597号公報