特許

J-GLOBAL ID：200903002768388480

不揮発性メモリ及びそのデータ書込み方法

発明者： 二見 智子
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-188168
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007073
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 電気的にデータの書換えが可能な不揮発性メモリにデータを書き込む際に、データの書込みに要する時間を短縮する。【解決手段】 複数のメモリセル2と、パルス幅の異なる複数種類のクロックパルスが供給され、所定のパルス幅よりも長いパルス幅を有するクロックパルスが供給された場合にメモリセル2にデータを書き込むために十分な電圧を発生する昇圧回路8と、クロックパルスをカウントすることによりいずれかのメモリセル2を指定するために用いられるアドレス信号を生成するアドレスカウンタ9と、全てのメモリセル2を選択するための機能とアドレスカウンタ9が生成したアドレス信号によって指定されるメモリセル2のみを選択するための機能とを有する行及び列セレクタ回路4、5とを具備する。

請求項（抜粋）：

電気的にデータの書換えが可能な不揮発性メモリであって、複数のメモリセルと、パルス幅の異なる複数種類のクロックパルスが供給される昇圧手段であって、所定のパルス幅よりも長いパルス幅を有するクロックパルスが供給された場合に、少なくとも1つのメモリセルにデータを書き込むために十分な電圧を発生する昇圧手段と、クロックパルスをカウントすることにより、いずれかのメモリセルを指定するために用いられるアドレス信号を生成するカウント手段と、全てのメモリセルを選択するための機能と、前記カウント手段が生成したアドレス信号によって指定されるメモリセルのみを選択するための機能とを有するメモリセル選択手段と、を具備する不揮発性メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02

FI (4件)：

G11C 17/00 631 ,  G11C 17/00 632 A ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 Z

Fターム (5件)：

5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD10 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05