特許
J-GLOBAL ID：200903002770117117

セラミック電子部品の製造方法

発明者：
東原 伸浩

東原 伸浩 について

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佐古田 秀人

佐古田 秀人 について

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中川 敦之

中川 敦之 について

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段 儀治

段 儀治 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-204145
公開番号（公開出願番号）：特開2005-050921
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】導体層の厚みを薄くして小型のセラミック電子部品を製作することができ、しかも導体層やセラミック層に変形やクラック等の不具合が生じるのを有効に防止することができるセラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】DLCもしくはGLCから成るマスク層を部分的に有した基体の表面で、前記マクス層の存在しない部位に金属メッキ膜を析出させる工程Aと、前記基体上の金属メッキ膜を被転写材に転写させるとともに、前記金属メッキ膜をセラミックグリーンシートと一体化する工程Bと、前記セラミックグリーンシートを焼成することによってセラミック層上に導体層が被着されたセラミック電子部品を得る工程Cと、を経てセラミック電子部品を製造する。【選択図】図2
請求項１：
ダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)もしくはグラファイト・ライク・カーボン(GLC)から成るマスク層を部分的に有した基体の表面で、前記マクス層の存在しない部位に金属メッキ膜を析出させる工程Aと、 前記基体上の金属メッキ膜を被転写材に転写させるとともに、前記金属メッキ膜をセラミックグリーンシートと一体化する工程Bと、 前記セラミックグリーンシートを焼成することによってセラミック層上に導体層が被着されたセラミック電子部品を得る工程Cと、を含むセラミック電子部品の製造方法。
IPC (2件)：
H01G4/30 ,  H01G4/12
FI (2件)：
H01G4/30 311D ,  H01G4/12 364
Fターム (19件)：
5E001AB03 ,  5E001AH07 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BC38 ,  5E082EE05 ,  5E082EE39 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM01 ,  5E082MM24 ,  5E082PP02 ,  5E082PP04 ,  5E082PP06 ,  5E082PP09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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