両面研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244908
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068435
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】研磨用部材とウェーハとの間の異常摩擦等に起因して発生するプラスチック屑に起因すると考えられているスクラッチの発生をできるだけ押さえながらシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ、ガラス製ウェーハなどの各種ウェーハの両面研磨方法の提供。【解決手段】少なくともプラスチック屑の発生に多い研磨荷重の負荷、研磨用定盤および研磨用キャリアの回転のランプアップ時と、ウェーハに過重な荷重のかかる期間である表面研磨終了作業として行われる減圧、減速時に期間の何れか一方、好ましくは両期間において、供給する研磨液のpHを10未満としたものを供給することにより上記の課題を達成。

請求項（抜粋）：

ウェーハの両面研磨時に供給する研磨液のpHを10未満とした研磨液を供給する工程を少なくとも一回含むことを特徴とするウェーハの両面研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 621 A , H01L 21/304 622 A , B24B 37/00 H

Fターム (5件)：

3C058BA02 , 3C058BA04 , 3C058BA05 , 3C058CB02 , 3C058DA17

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