特許
J-GLOBAL ID：200903002771725870
半導体装置の配線評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232868
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072234
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、従来に比べ半導体装置の所定の配線層の評価を容易に行えるようにすることを目的とする。【構成】 半導体装置27の表面への荷電ビーム28の照射により評価対象となる第1の配線層23を流れる試料電流を検出し、荷電ビーム28の走査位置及び試料電流に基づき走査試料電流像を形成し、この走査試料電流像から第1の配線層23の断線等の故障箇所の同定を行うものである。【効果】 従って、第1の配線層23の上層に絶縁層24,26や第2の配線層25があっても、従来のようにこれらの上層膜を除去して第1の配線層23を露出させる必要がなく、第1の配線層23の断線等の故障箇所を電気的に容易に同定することができる。
請求項（抜粋）：
荷電ビーム発生手段により荷電ビームを半導体装置の表面に照射すると共に、走査手段により前記荷電ビームを走査し、前記荷電ビームの照射により前記半導体装置の評価対象となる所定の配線層を流れる試料電流を検出し、前記荷電ビームの走査位置及び前記試料電流に基づき走査試料電流像を形成し、前記走査試料電流像から前記所定の配線層の評価を行なうことを特徴とする半導体装置の配線評価方法。
IPC (3件)：
G01R 19/00
, G01R 31/26
, G01R 31/302
