特許

J-GLOBAL ID：200903002776758939

発光ダイオード

発明者： 久光 守
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 中井 宏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008996
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224468
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 電流に対して光出力の飽和が起きにくく、発光部の中心部も十分光って、光ファイバーとの結合効率が良い発光ダイオードを提供する。【構成】 半導体積層基板内に形成されたp,n型の2つのクラッド層53,51で活性層52を挟んだダブルヘテロ構造を持ち、エピタキシャル層側から光を取り出す発光ダイオード1において、発光部11の縁の形状11′が、部分的に中心に向かって突出した構造となっている。

請求項（抜粋）：

半導体積層基板内に形成されたp,n型の2つのクラッド層で活性層を挟んだダブルヘテロ構造を持ち、エピタキシャル層側から光を取り出す発光ダイオードにおいて、発光部の縁の形状が、部分的に中心に向かって突出したことを特徴とする発光ダイオード。