特許

J-GLOBAL ID：200903002779048827

半導体装置の金属プラグ形成装置

発明者： 民谷 直幹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044947
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231027
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 コンタクト形状の加工精度を高く維持しつつ、ウェハにおける金属プラグ形成工程のスループットを向上させることができる半導体装置の金属プラグ形成装置を提供する。【構成】 ウェハ1を搬送する搬送アーム13の下部に冷却水を溜める冷却水溜15と、この冷却水溜15に冷却ポンプ16から冷却水を送水する送水チューブ17と、冷却水溜15から冷却水を排水する排水チューブ18とが設けられ、第1反応室10から第2反応室11にウェハを搬送する際、ウェハ1の熱を冷却水によって短時間に十分に吸熱させる。この結果、プラグ・ロス量の少ないエッチバック処理が連続的に実行可能となる。

請求項（抜粋）：

コンタクト孔を有するウェハ上に金属膜を形成する第1反応室と、ウェハに堆積した金属膜の一部をエッチバックする第2反応室と、前記第1反応室から前記第2反応室へウェハを搬送する搬送アームを有する搬送装置とを備え、ウェハの搬送中に該ウェハを冷却する冷却手段が、前記搬送アームに設けてあることを特徴とする半導体装置の金属プラグ形成装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/90 C