特許

J-GLOBAL ID：200903002780691954

エッチング装置

発明者： 田子 一農
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169199
公開番号（公開出願番号）：特開平8-035082
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】選択比を大幅に向上し、64MDRAM以降で必要となる高アスペクト比形状のエッチングを可能とする。【構成】反応ガス20の種を含む原料ガス及び原料ガスを供給するガス供給系と、高周波またはマイクロ波の供給系、反応ガス20と電子との衝突により解離種を生成するプラズマ反応室から構成される。

請求項（抜粋）：

反応室内にガスと電磁波を導入して、プラズマを発生させると共に導入ガスを解離させて、ウェハ表面への解離種付着とイオン衝突を利用してSiO2 酸化膜をエッチングするドライエッチング装置において、フッ化炭素系の導入ガスにNCCNガスを混合して反応ガスとし、これを用いることを特徴とするエッチング装置。