特許

J-GLOBAL ID：200903002784431302

プラズマCVD法による堆積膜形成装置及び方法

発明者： 松岡 秀彰 ,  瀬木 好雄 ,  片桐 宏之 ,  高井 康好
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289047
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106931
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、反応容器内のガス量のバランスをとり、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形成し、画像欠陥を激減しうるプラズマCVD法による堆積膜形成装置及び方法を提供すること、及び、形成される膜の諸物性、成膜速度、再現性の向上、膜の生産性を向上し、量産化を行う場合その歩留まりを飛躍的に向上させることを可能にするプラズマCVD法による堆積膜形成装置及び方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、堆積膜を形成するための円筒状支持体が配置される反応空間を有する反応容器と、前記反応容器内の前記円筒状支持体の配置位置における該円筒状支持体との同軸外周上に、該円筒状支持体の長手方向に沿って設けられた複数の原料ガス導入管を有する堆積膜形成装置及び方法において、前記原料ガス導入管の上端部に、該原料ガス導入管を所定の位置にしうる部材を設けたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

堆積膜を形成するための円筒状支持体が配置される反応空間を有する反応容器と、前記反応容器内の前記円筒状支持体の配置位置における該円筒状支持体との同軸外周上に、該円筒状支持体の長手方向に沿って設けられた複数の原料ガス導入管を有する堆積膜形成装置において、前記原料ガス導入管の上端部に、該原料ガス導入管を所定の位置にしうる部材を設けたことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205