特許

J-GLOBAL ID：200903002787516350

微細パターン形成方法

発明者： 金 鶴 ,  姜 浩英
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304372
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078756
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 低加速電圧を有する電子ビームとシリル化工程を用いて半導体装置の微細なパターンを形成する方法を提供する。【構成】 基板上にレジストを塗布してレジスト膜12を形成した後、1ないし5KeVの低い加速電圧を有する電子ビームを用いてレジスト膜の上部表面部位を選択的に露光させる。その後、露光されたレジスト膜を選択的にシリル化して前記レジスト膜の上部の一部にシリル化層18を形成し、シリル化層をマスクとして用いてレジスト膜をエッチングしてレジストパターンを形成する。ドライエッチング工程の初期段階にシリル化層のシリコンがO2 プラズマと反応してSiOXより構成されたエッチングマスクを形成する。【効果】 これにより、0.1μm程度の大きさを有する超微細パターンが形成でき、電子ビーム露光工程の処理量が増大する。

請求項（抜粋）：

基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する段階と、低い加速電圧を有する電子ビームを用いて前記レジスト膜の上部表面部位を選択的に露光させる段階と、前記露光されたレジスト膜をシリル化して前記レジスト膜の上部の一部に選択的にシリル化層を形成する段階と、前記シリル化層をマスクとして用いてレジスト膜をエッチングする段階を含む微細パターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/38 512