特許

J-GLOBAL ID：200903002792106615

透明導電性積層体及びその製造方法

発明者： 鈴木 彰 ,  小山 正人 ,  吉開 正彰 ,  坂井 ▲祥▼浩 ,  中島 明美 ,  原田 祐一郎
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (1件)： 最上 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242663
公開番号（公開出願番号）：特開2000-071374
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】【課題】 安価でかつ耐環境性に優れたエレクトロルミネッセンス用透明電極に適した透明導電性積層体及びその製造方法の提供。【解決手段】 厚さ10〜250μmの透明高分子基体(A)の片面に酸化インジウムを主成分とする厚さ10〜100nmの透明導電膜層(B)を形成し、次いで、透明導電膜層(B)の表面にチタンを主成分とする厚さ1〜20nmの金属薄膜層(C)を形成する透明導電性積層体の製造方法であって、金属薄膜層(C)を形成するに際し、反応ガス中の水素濃度を5〜50vol%に制御する透明導電性積層体の製造方法、及び該方法によって製造された表面抵抗率が1000Ω/□以下、可視光線透過率が70%以上である透明導電性積層体。

請求項（抜粋）：

厚さ10〜250μmの透明高分子基体(A)の片面に酸化インジウムを主成分とする厚さ10〜100nmの透明導電膜層(B)を形成し、次いで、透明導電膜層(B)の表面にチタンを主成分とする厚さ1〜20nmの金属薄膜層(C)を形成する透明導電性積層体の製造方法であって、金属薄膜層(C)を形成する際の反応ガスとして、水素を5〜50vol%含む不活性ガスを用いることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。

IPC (7件)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (7件)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04 Z ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 M ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (37件)：

4F100AA17B ,  4F100AA28 ,  4F100AB12C ,  4F100AB31C ,  4F100AK01A ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100EH66C ,  4F100EJ60 ,  4F100GB48 ,  4F100JG01B ,  4F100JG04 ,  4F100JL09 ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100JN28 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA17 ,  4K029BA45 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC02 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05