特許
J-GLOBAL ID：200903002793678647
有機膜の高アスペクト比微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263552
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102021
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】パターニングされた感光層を用いて有機膜をドライエッチングする方法において、感光層と有機膜とのミキシング層の発生を防止又はなくした有機膜の高アスペクト比微細パターン形成方法。【構成】半導体基板1上に有機膜層2を設け、この有機膜表面をDeepUV照射によって改質することにより、この上に形成する感光層3とのミキシング層の生成を防止する。続いて、露光・現像によりパターニングされた感光層をマスクとして、酸素プラズマエッチングにより有機膜を微細加工する。又は感光層をパターニングした後、CF4ガスによるライトエッチングを行ない、つづいて酸素プラズマエッチングにより有機膜を微細加工する。最後に、感光層を除去することにより、有機膜の高アスペクト比微細パターンが形成される。【効果】高アスペクト比の微細有機膜パターンが精度良く得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に有機膜層を設け、この有機膜層の上に感光層を形成し、この感光層を光により所望の部分を露光し、現像して有機膜層の所望の部分が露出したパターンを形成し、露出した有機膜層の部分をドライエッチングにより除去することによって高アスペクト比微細パターンを形成する方法において、感光層を形成する前に、有機膜表面をDeepUV照射することにより有機膜表面を硬化させ、有機膜層と感光層とのミキシングを防止したことを特徴とする有機膜の高アスペクト比微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
