特許
J-GLOBAL ID：200903002794080273
半導体装置の製造方法及び半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-275969
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116137
出願日： 1994年10月15日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ウェーハを再現性良く劈開出来、また切り出した長いバーを容易に操作して、基板のオーミック接触を容易にした半導体レーザを提供する。【構成】 半導体ウェーハの第1主面に、素子分離用のガイド溝40を形成する。ウェーハの第2主面に実質的にサイドエッチングのないマスク100を形成する。またマスクを介在させて垂直に深くエッチングし、第2主面からウェーハ内部の所定の深さまでガイド溝30を形成する。これらのガイド溝をガイドとしてウェーハを劈開し、複数の半導体素子に分離する。【効果】 半導体ウエーハは厚いままで使用されるので、ウェーハの研磨工程を省略でき、半導体装置の機械的強度を向上させることができる。さらに、p型InP基板上に形成した半導体レーザは良好なp側オーミック接触が容易に得られる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの第1の主面に、エッチングによりこの半導体ウェーハを複数の半導体素子に分離するための第1のガイド溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハの第2の主面に実質的にサイドエッチングのないマスクを形成する工程と、前記マスクを介在させて垂直に深くエッチングできるエッチャントを用いて前記第2の主面をエッチングし、前記第2の主面から前記半導体ウェーハ内部の所定の深さまで、共振面を形成するための第2のガイド溝を形成する工程と、これら第1及び第2のガイド溝をガイドとして前記半導体ウェーハを劈開し、複数の半導体素子に分離する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 33/00
