特許

J-GLOBAL ID：200903002796430328

軟磁性薄膜

発明者： 菅谷 康博 ,  平本 雅祥 ,  井上 修 ,  釘宮 公一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330918
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192920
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 Feを主成分とする合金に対し、少量のVとCrあるいはNiとCrを添加することにより、耐食性と高飽和磁束密度及び優れた軟磁気特性を有する磁性薄膜を提供することにある。【構成】 一例として、Fea Mb Vc Crd (但し、a,b,c,dは各々atom% を示し、MはSi、Alから選ばれる少なくとも一つの元素を示し、a≧82、0.2≦b≦17、0.3≦c≦8、0.5≦d≦4、a+b+c+d=100である。)で表される原子比組成を有する軟磁性薄膜を形成する。またFe-Co系合金においては、約35atom% Co組成において、最大の飽和磁束密度、約2.45[T]を有するが、Coの組成が20〜80atom% の範囲であれば、この合金系の特徴である高飽和磁束密度(約2[T]以上)を有しするとともに、耐食性及び良軟磁気特性を持った磁性膜が得られる。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される原子比組成を有する軟磁性薄膜。式(1) Fea Mb Vc Crd(但し、a,b,c,dは各々atom% を示し、MはSi、Alから選ばれる少なくとも一つの元素を示し、a≧82、0.2≦b≦17、0.3≦c≦8、0.5≦d≦4、a+b+c+d=100である。)

IPC (3件)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 ,  C23C 14/14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-252006
  
• 特開昭64-008605
  
• 特開昭64-008604