特許

J-GLOBAL ID：200903002796451287

欠陥検出装置及びその測定方法

発明者： 吉村 敏彦 ,  石川 雄一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-313897
公開番号（公開出願番号）：特開平9-152410
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】薄膜材料や構造材料の強度に影響を与える材料欠陥を、サブナノメータオーダで評価することができる欠陥検出装置、及びその測定方法を提供する。【解決手段】3次元アトムプローブの分析チャンバを極高真空チャンバ103とし、極高真空チャンバ103に具備した重水素ボンベ109より重水素110を極高真空チャンバ103へ導入し、針状試料104を加熱して重水素110を針状試料104先端より吸収させ、点欠陥105や転位106,粒界107,界面402等の欠陥にトラップさせる。針状試料104先端より原子を一個毎電界蒸発させイオン化させて3次元アトムプローブ分析を行った後、材料を構成する原子とともに欠陥にトラップされた重水素110の位置を立体的に可視化して、材料欠陥の位置を3次元表示する。

請求項（抜粋）：

材料表面から原子をイオン化し脱離させる原理に基づく分析装置において、前記材料に吸収させ、前記材料の欠陥や転位,粒界,界面にトラップさせ、かつ前記材料を構成する原子とともに検出して前記欠陥や転位,粒界,界面を可視化するための重水素の供給源を具備することを特徴とする欠陥検出装置。