特許
J-GLOBAL ID:200903002801943940

高周波デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 堀田 信太郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-054150
公開番号(公開出願番号):特開2003-257739
出願日: 2002年02月28日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 従来困難とされてきた高周波数帯(GHz帯)で使用可能な高周波インダクタや高周波トランス、ならびに伝送線路デバイスなどの高周波デバイスを提供する。【解決手段】 強磁性金属膜と反強磁性酸化物薄膜の積層膜を用いてマイクロストリップライン型伝送線路等を構成することで、反強磁性酸化物薄膜の誘電体としての作用を利用できると同時に、強磁性/反強磁性交換結合による大きな一方向磁気異方性の誘導により、強磁性層の強磁性共鳴周波数を著しく高周波化でき、伝送線路の広帯域化に極めて有効な手段を与える。
請求項(抜粋):
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜を有することを特徴とする高周波デバイス。
IPC (4件):
H01F 17/00 ,  H01F 27/00 ,  H01F 27/29 ,  H01P 3/08
FI (4件):
H01F 17/00 B ,  H01P 3/08 ,  H01F 15/00 C ,  H01F 15/10 C
Fターム (10件):
5E070AA05 ,  5E070AB01 ,  5E070BA12 ,  5E070BB01 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5E070CB14 ,  5E070CB15 ,  5E070EB01 ,  5J014CA05
引用特許:
審査官引用 (1件)

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