特許
J-GLOBAL ID：200903002804694658

半導体装置

発明者：
芦田 喜章

芦田 喜章 について

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武藤 晃

武藤 晃 について

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清水 一男

清水 一男 について

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波多 俊幸

波多 俊幸 について

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河野 賢哉

河野 賢哉 について

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田中 直敬

田中 直敬 について

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米田 奈柄

米田 奈柄 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-250474
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066813
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 パワートランジスタなどの高出力で高発熱の半導体装置において、放熱性に優れ、かつ電気抵抗を低減し、さらに実装信頼性を向上させることを課題とする。【解決手段】 ドレイン用導電部材とソース用導電部材で半導体チップの表裏面を概ね覆い隠すようにはさんで電気的に接合し、これらを樹脂封止する一方、半導体チップ投影面内にあるドレイン用導電部材とソース用導電部材の一部分を樹脂封止体から露出させる。【効果】 本発明によって、半導体チップを挟んだ導電部材が半導体装置の両面から露出する構造となるため、放熱性を向上させることが可能となる。また、半導体チップクラック、半導体チップと導電部材とを接合する接続材の疲労破壊を抑制し、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の面に第1の電極を有し、前記第1の面と反対側の第2の面に第2の電極を有する半導体チップと、 前記半導体チップの第1の面よりも上に位置する第1の部分と、前記第1の部分から前記半導体チップの第2の面側に延びる第2の部分と、前記第2の部分と一体に形成され、前記半導体チップの第2の面よりも下に位置する第3の部分とを有する第1の導電部材と、 前記半導体チップの第2の面よりも下に位置する第2の導電部材と、 前記半導体チップ、前記第1及び第2の導電部材を封止する樹脂封止体とを有し、 前記第1の導電部材の第1の部分は、前記半導体チップの第1の電極のほぼ全域を覆う第1の接続材を介して前記半導体チップの第1の電極に接合され、更に樹脂封止体から露出し、 前記第1の導電部材の第2の部分は、前記樹脂封止体の内部に位置し、 前記第1の導電部材の第3の部分は、前記樹脂封止体から露出し、 前記第2の導電部材は、前記半導体チップの第2の電極のほぼ全域を覆う第2の接着材を介して前記半導体チップの第2の電極に接合され、更に、前記樹脂封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/48 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50
FI (3件)：
H01L23/48 P ,  H01L23/28 A ,  H01L23/50 R
Fターム (17件)：
4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA10 ,  4M109DB03 ,  4M109DB17 ,  4M109GA05 ,  5F067AA01 ,  5F067AA03 ,  5F067AB04 ,  5F067AB10 ,  5F067BB04 ,  5F067BC13 ,  5F067BC14 ,  5F067CA03 ,  5F067DF20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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