特許

J-GLOBAL ID：200903002807657656

引き上げ法による単結晶育成装置

発明者： 藤井 信三
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-160597
公開番号（公開出願番号）：特開平10-338594
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 ルツボ材やアフターヒータ材に金属イリジウムを使用し、酸素が存在する雰囲気下で単結晶育成を行う場合でも、結晶欠陥が発生し難く、高品位の単結晶を安定的に育成できるようにする。【解決手段】 有底円筒状の貴金属製のルツボ14の外側を、断熱充填材18を介して耐火物ルツボ16で取り囲み、貴金属製のルツボの上部にほぼ円筒状の貴金属製のアフターヒータ40を設置し、該アフターヒータの外側を間隔をおいて保温耐火物38で覆い、耐火物ルツボ及び保温耐火物の外側に加熱用の高周波コイル12を設置した引き上げ法による単結晶育成装置である。貴金属製のルツボ及びアフターヒータの少なくとも一方がイリジウムからなり、アフターヒータの最小内径をルツボ内径よりも20%以上大きする。

請求項（抜粋）：

有底円筒状の貴金属製のルツボの外側を、断熱充填材を介して耐火物ルツボで取り囲み、前記貴金属製のルツボの上部にほぼ円筒状の貴金属製のアフターヒータを設置し、該アフターヒータの外側を間隔をおいて保温耐火物で覆い、前記耐火物ルツボ及び保温耐火物の外側に加熱用の高周波コイルを設置した単結晶育成装置において、貴金属製のルツボ及びアフターヒータは、その少なくとも一方がイリジウムからなり、アフターヒータの最小内径が貴金属製のルツボ内径よりも20%以上大きいことを特徴とする引き上げ法による単結晶育成装置。

IPC (3件)：

C30B 15/10 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/28

FI (3件)：

C30B 15/10 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/28