特許
J-GLOBAL ID：200903002809304238
半導体製造排ガスの処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉嶺 桂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213962
公開番号（公開出願番号）：特開平9-038463
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：
【要約】【課題】 アルカリ金属による半導体製造環境の汚染を起こすことなく、排ガス中の有害成分の除去率を高く保つことができ、また、ランニングコストが安価な半導体製造排ガスの処理方法を提供する。【解決手段】 半導体製造排ガスから有害成分を除去する処理方法において、前記排ガス1を、アンモニア及び/又は水酸化第四アンモニウム2でpH8から10に調整した洗浄液5と接触させた後、水9と接触8せしめ、さらに残存成分を除去する薬剤を充填した吸着塔11に導入して処理することとしたものであり、前記吸着塔に充填する薬剤は、アルカリ添着活性炭、金属酸化物又はイオン交換樹脂の一種以上から選ばれることができる。
請求項（抜粋）：
半導体製造排ガスから有害成分を除去する処理方法において、前記排ガスを、アンモニア及び/又は水酸化第四アンモニウムでpH8から10に調整した洗浄液と接触させた後、水と接触せしめ、さらに残存成分を除去する薬剤を充填した吸着塔に導入して処理することを特徴とする半導体製造排ガスの処理方法。
IPC (4件)：
B01D 53/68
, B01J 20/06
, B01J 20/20
, B01J 41/04
B01D 53/34 134 A
, B01J 20/06 Z
, B01J 20/20 C
, B01J 41/04 Z
, B01D 53/34 134 C
