特許

J-GLOBAL ID：200903002814409048

二次イオン質量分析法による微小領域の分析方法

発明者： 菊間 淳
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238532
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059826
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 微小領域において微量成分の分析を可能にする二次イオン質量分析方法を提供する。【解決手段】 二次イオン質量分析法の一手法である集束イオンビーム/酸素イオンビーム 交互照射法において、集束イオンビームの照射電流を低くしてスパッタ速度を遅くすることにより微小領域の微量成分分析を可能とし、かつ、低エネルギーの酸素イオンビームを用いることで酸素イオンによるスパッタを抑え、集束イオンビームによる分析体積を増加させることにより、さらに高感度で微小領域の微量成分分析を可能とする。

請求項（抜粋）：

集束イオンビームと酸素イオンビームを交互に照射する二次イオン質量分析法において、低照射電流の集束イオンビームを用いて微小領域を分析する方法。

IPC (2件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/252

FI (2件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/252 B

Fターム (22件)：

2G001AA05 ,  2G001AA10 ,  2G001AA20 ,  2G001BA06 ,  2G001CA05 ,  2G001GA02 ,  2G001GA03 ,  2G001GA06 ,  2G001GA08 ,  2G001GA09 ,  2G001GA11 ,  2G001JA01 ,  2G001JA06 ,  2G001JA11 ,  2G001JA20 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA15 ,  5C033QQ02 ,  5C033QQ11 ,  5C033QQ15