特許
J-GLOBAL ID：200903002817561576

回路基板とその金属配線形成方法

発明者：
高萩 隆行

高萩 隆行 について

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新宮原 正三

新宮原 正三 について

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坂上 弘之

坂上 弘之 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332309
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141351
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】高アスペクト比を持つ極微細な金属配線を効率よく形成する。【解決手段】回路基板上の配線となるべき部分に前もって実質的に溝または穴をあけておき、水または有機溶剤などの液体に100nm以下の粒径を持った金などの貴金属超微粒子を分散してコロイド状とした溶液を塗布することにより、貴金属超微粒子をキャピラリー効果で配線となるべき溝または穴中に導入し、溝または穴部分を貴金属超微粒子の凝集体で実質的に埋め込む。塗布工程中または塗布工程後において、電子回路基板を実質的に50°C以上400°C以下に加熱することによって、貴金属超微粒子を融合一体化して電気配線を形成する。
請求項（抜粋）：
相互に融着した、粒径が100nm 以下である貴金属超微粒子からなる金属配線を備えていることを特徴とする回路基板。
IPC (2件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/283
FI (2件)：
H01L 21/283 A ,  H01L 21/88 B
Fターム (16件)：
4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033MM01 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033XX02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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