特許
J-GLOBAL ID：200903002818006746

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法、及び半導体素子

発明者：
金 珍秀

金 珍秀 について

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鄭 載昌

鄭 載昌 について

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李 根守

李 根守 について

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白 基鎬

白 基鎬 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121485
公開番号（公開出願番号）：特開2001-305738
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 レジストフロー工程を導入する場合に、レジスト樹脂の過度な流動によってパターンが埋め込まれる現象の発生を防ぐ。【解決手段】 フォトレジスト樹脂と、光酸発生剤(photoacid generator)と有機溶媒を含むフォトレジスト組成物において、フォトレジスト樹脂は化学式(1)に示される第1共重合体、及び化学式(2)に示される第2共重合体を含む混合樹脂である。【化1】
請求項１：
フォトレジスト樹脂と、光酸発生剤(photoacid generator)と有機溶媒を含むフォトレジスト組成物において、前記フォトレジスト樹脂は下記化学式(1)に示される第1共重合体、及び下記化学式(2)に示される第2共重合体を含む混合樹脂であることを特徴とするフォトレジスト組成物。【化1】前記式で、R1は水素、炭素数C1〜C10のアルキル基又はアリール基であり、a:b=20〜80mol%:80〜20mol%である。【化2】前記式で、R2は酸に敏感な保護基であり、c:d:e=30〜70mol%:28〜50mol%:2〜15mol%である。
IPC (8件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (9件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08K 5/00 ,  C08L 25/18 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 570
Fターム (41件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB51 ,  2H025CC03 ,  2H025FA29 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096HA01 ,  2H096LA30 ,  4J002BC121 ,  4J002BG041 ,  4J002BG071 ,  4J002EB116 ,  4J002EE037 ,  4J002EH157 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AJ02R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02 ,  4J100BA03 ,  4J100BA04 ,  4J100BA05 ,  4J100BA06 ,  4J100BC53 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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