特許

J-GLOBAL ID：200903002821145900

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小川 和宏 ,  江平 淳 ,  渋谷 彰弘 ,  古川 資之 ,  成瀬 幹夫
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 的場 基憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117008
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327533
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】半導体モジュールと冷却器との間における熱伝達性が良好であり、半導体チップの冷却性能に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップを内蔵した非絶縁型半導体モジュール2と、半導体チップの冷却を行う冷却器3と、非絶縁型半導体モジュール2及び冷却器3の間に挟み込まれる絶縁液状物質としてのシリコングリース6を備えた半導体装置において、シリコングリース6に空気を吸収する吸着剤としての合成ゼオライト7を含ませた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体チップを内蔵した非絶縁型半導体モジュールと、半導体チップの冷却を行う冷却器と、上記非絶縁型半導体モジュール及び冷却器の間に挟み込まれる絶縁液状物質を備えた半導体装置において、上記絶縁液状物質に空気を吸収する吸着剤を含ませたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC24 ,  5F036BD11 ,  5F036BD21