特許

J-GLOBAL ID：200903002822203009

研磨スラリー及び当該研磨スラリーを利用する方法

発明者： ラコント,ロナルド ダブリュ. ,  ヒアレ,アンドリュー ジー.
出願人/特許権者： サン-ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  出野 知 ,  小野田 浩之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-533597
公開番号（公開出願番号）：特表2009-509784
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

本発明の研磨スラリーは、液状媒体及び微粒子研磨剤を含む。上記微粒子研磨剤は、軟質研磨粒子、硬質研磨粒子及びコロイダルシリカ粒子を含み、上記軟質研磨粒子は、8以下のモース硬度を有し、上記硬質研磨粒子は、8以上のモース硬度を有し、そして上記軟質研磨粒子及び上記硬質研磨粒子は、2:1以上の重量比において存在する。

請求項（抜粋）：

液状媒体;及び 軟質研磨粒子、硬質研磨粒子及びコロイダルシリカ粒子を含む微粒子研磨剤、前記軟質研磨粒子は8以下のモース硬度を有し、そして前記硬質研磨粒子は8以上のモース硬度を有し、そして前記軟質研磨粒子及び前記硬質研磨粒子は、2:1以上の重量比で存在する: を含む研磨スラリー。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (3件)：

B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550F

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-100373   出願人：ロデール・ニッタ株式会社, 住友電気工業株式会社
• 特開昭60-172465
  
• 複合粒子の製造方法及びこの方法により製造される複合粒子並びに複合粒子を含有する化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-331505   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-013148   出願人：JSR株式会社
• 研磨剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-051031   出願人：セイミケミカル株式会社