縦型トランジスタを持つ半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191534
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045899
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】縦型トランジスタにLDDを確実に形成でき、更に縦型トランジスタのしきい値電圧の制御ができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基板2に対しほぼ垂直方向に形成された段差側壁部4aに沿って伸びるチャネル領域を有する縦型トランジスタの製造方法である。基板2に対してほぼ垂直方向のイオン注入を行い、LDDとなるオフセット領域11,12を形成し、段差側壁部4aにサイドウオール5を形成した後、該サイドウオールの上からソース・ドレイン領域形成のためのイオン注入を行う。これにより、ソース・ドレイン領域がLDD(Lightly Doped Drain)に対して自己整合的に容易に形成することができる。また、基板2に対して斜め方向からのイオン注入を行う工程によりしきい値電圧制御を行う。

請求項（抜粋）：

基板に対しほぼ垂直方向に形成された段差の側壁部に沿って伸びるチャネル領域を有する縦型トランジスタを持つ半導体装置の製造方法であって、前記基板の表面に段差を形成する工程と、少なくとも前記段差の底部および頭部に第1のイオン注入を行う工程と、前記段差の側壁部にサイドウオールを形成した後、該サイドウオールをマスクとして、段差の底部および頭部に第2のイオン注入を行う工程と、前記サイドウォールを除去した後、前記段差の底部、頭部、および側壁部にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程とを有する縦型トランジスタを持つ半導体装置の製造方法。

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