特許
J-GLOBAL ID：200903002837222204
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094974
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 SiO2 系材料層のドライエッチングにおいて、高速性,高選択性,低ダメージ性に加え、特に低汚染性を達成する。【構成】 ウェハ温度を室温以下に制御し、c-C4 F8等の高次フルオロカーボン(FC)化合物と一酸化炭素(CO)の混合ガスを用いてSiO2 層間絶縁膜3をエッチングする。高次FC化合物から効率良く生成するCFx + によるスパッタ反応と、強い還元性を有するCOによるSiO2 からの酸素引き抜き反応との相乗効果により、高速エッチングが進行する。入射イオン・エネルギーが低減できるので、単結晶シリコン基板1へのダメージが少なく、また下地選択性の確保に必要な炭素系ポリマーが少なくて済むのでパーティクル汚染を防止できる。これにより、デバイスの歩留りが向上し、スループットも改善される。
請求項（抜粋）：
被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、一般式Cm Fn (ただしm,nは原子数を示す自然数であり、m≧2,n≦2m+2の条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用いて酸化シリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/18
