特許
J-GLOBAL ID：200903002837903791
分子線エピタキシー用セル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-319981
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：
【要約】【目的】 るつぼ内に収容された元素が一様に温められ、成長中において特性の良い成長層を再現性良く得ることができる分子線エピタキシー用セルを得る。【構成】 るつぼ2内に外径の小さいるつぼ3を入れてるつぼを2重構造とし、蒸発すべき元素(Ga)5を中央部に入れ、2重構造となったるつぼ間にGa融液4を満たし、外側よりヒータ6で加熱蒸発する構造とする。【効果】 結晶欠陥が少なく、良好な結晶性を有する結晶層を再現性良く成長することができる。
請求項１：
化合物半導体を形成するための蒸発源となる元素をるつぼ内部に収容し、該元素を加熱によって蒸発させるための分子線エピタキシー用セルにおいて、外径の異なる2つのるつぼを、それらの間に所定の空間が確保されるように組合せ、上記各るつぼ間の空間に融液を満たしたことを特徴とする分子線エピタキシー用セル。
IPC (2件)：
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