特許
J-GLOBAL ID：200903002838319635
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095635
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291153
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】本発明は、シリコン基板にGaAs膜をヘテロエピタキシャル成長する半導体装置の製造方法に関し、シリコン基板上に平坦度及び結晶性の良いGaAs膜を形成することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】シリコン基板上に、GaAs膜を成長する半導体装置の製造方法において、IIIB族元素を含むガス雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程と、処理後のシリコン基板の成長面にGaAs膜を成長する工程とを含み構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に、GaAs膜を成長する半導体装置の製造方法において、III B族元素を含むガス雰囲気中で前記シリコン基板を加熱する工程と、前記処理後のシリコン基板の成長面にGaAs膜を成長する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
